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STマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM、以下ST）は、第2世代MasterGaNハーフブリッジ・ファミリにおいて初の製品となる「MasterGaN6」を発表しました。この新しいパワーSiP（システム・イン・パッケージ）は、最新のBCD（Bipolar CMOS DMOS）ドライバと、オン抵抗RDS(on)がわずか140mΩの高性能GaNパワー・トランジスタを集積しています。
STのMasterGaNファミリで実績のある高集積化技術を活用したMasterGaN6は、フォルト検出やスタンバイ機能などの専用ピン数を増加し、機能が拡張されています。これらの機能によって、スマートなシステム制御と消費電力の削減を実現すると同時に、LDOとブートストラップ・ダイオードも内蔵しているため、外付け部品を削減しつつ、駆動の最適化が可能となります。
この先進的なドライバは非常に高速のタイミング技術を採用しており、最小オン時間と伝搬遅延が短いため、高周波数動作が可能になるほか、回路面積の最小化にも貢献します。さらに、この超高速のウェイクアップ時間はバーストモード動作を強化し、低負荷時の効率を最適にします。
MasterGaN6は、貫通電流の防止や過熱シャットダウン、超低電圧ロックアウトなどの包括的な保護機能を内蔵するため、部材コストの低減や基板面積の小型化、および回路レイアウトの簡略化を実現できます。
MasterGaN6は最大10Aの電流を処理することが可能で、充電器やアダプタ、照明用電源、太陽光発電設備用DC-AC小型インバータなど、コンスーマ機器をはじめ産業用機器向けにも設計されています。同製品のハーフブリッジ構成は、アクティブ・クランプ・フライバック（ACF）回路や共振LLC回路、反転出力の降圧コンバータ、力率補正回路（PFC）など、多様な回路トポロジに最適です。
この新しいICを迅速に評価できるようにするため、STは評価ボード「EVLMG6」をリリースするとともに、eDesignSuiteのPCB熱分布シミュレータにMasterGaN6のモデルを追加しました。
MasterGaN6は現在量産中で、小型QFNパッケージ（9 x 9mm）で提供されます。単価は、1000個購入時に約4.14ドルです。
詳細についてはウェブサイトをご覧ください。
STマイクロエレクトロニクスについて
STは、約48,000名の従業員を擁し、包括的なサプライ・チェーンと最先端の製造設備を有する世界的な総合半導体メーカーです。約20万社を超えるお客様や数千社のパートナー企業と協力しながら、お客様のビジネス創出や持続可能な社会をサポートする半導体ソリューションの開発ならびにエコシステムの構築に取り組んでいます。STのテクノロジーは、スマート・モビリティ、電力エネルギー管理の効率化、クラウド接続型自律デバイスの普及を可能にします。STは、すべての直接・間接排出（スコープ1および2）、ならびに製品輸送、従業員の出張・通勤による排出（スコープ3の注力分野）におけるカーボンニュートラル達成に向けた取り組みを進めており、2027年末までに再生可能エネルギーの使用率を100％にする計画です。さらに詳しい情報はSTのウェブサイト（http://www.st.com）をご覧ください。
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