東レエンジニアリング先端半導体MIテクノロジー株式会社（本社：神奈川県横浜市、社長：佐藤 謙二、以下「東レエンジMI」）は、この度、光学式外観検査装置INSPECTRA(R)シリーズから、高効率に先端半導体を製造する技術として注目されているガラス基板用の検査装置を新たに開発し、2025年３月から販売を開始します。
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本装置は、パターン不良、異物の検出だけでなく、ガラス基板特有のひび割れ（クラック）等の不具合を検出する装置であり、パネルレベルパッケージ（PLP）等でも使用されているガラスコア・インターポーザや、再配線用ガラスキャリアに対応しています。
ガラス基板表面のみの欠陥を検出する装置はこれまでに各半導体メーカーに導入されていますが、表裏面および内部の検査を行う装置は、業界で初めて*です。
当社は、大型ガラス基板検査装置をPLPなど先端半導体を製造するメーカーに販売し、2025年度に10億円、2030年度に20億円の受注高を目指します。
現在、次世代半導体の製造技術である「２．５次元パッケージ」において、半導体の高機能化に伴って、半導体チップのサイズアップと高集積化によるパッケージあたりのチップ数量の増加により、チップと基板を電気的に接続する中継部材であるインターポーザもスケールアップしています。
これまでは12インチシリコンウェーハを使用したシリコンインターポーザが使われてきましたが、円形であることから1ウェーハ当たりの取り数が少なくなることで需要に対する供給量が課題になっています。そこでシリコンインターポーザの代わりに、大きな基板サイズで製造でき、かつ高密度実装への適応が可能なガラス基板が注目されています。
しかし、ガラス素材であることから微細なひび割れ（クラック）が生じるケースがあり、こうした欠陥が含まれるガラス基板を使用して製造した半導体は、動作の安定性に課題があるため、工程の中で取り除く必要があります。従来から光学的な技術を使用して表面検査が行われてきましたが、検査装置の構造上、表面の欠陥の検出にとどまり、裏面や内部にある欠陥の検出ができる装置はこれまでありませんでした。
今回、従来のINSPECTRA(R)シリーズの基本仕様をベースに、ガラス基板の不具合検出・解析アルゴリズムおよび偏光を利用した光学的な検査機構を新規に開発して搭載することで、業界初の両面検査・内部欠陥検査を可能としました。
また、INSPECTRA(R)シリーズの高い検査速度を保持していることも特徴であり、このことで全数検査が可能となるため、不良品の流出の防止に貢献することができます。
東レエンジMIは、光学式・電子線式の各半導体検査装置の展開で半導体の性能向上・信頼性向上に貢献し、電力化による低炭素社会の実現に貢献してまいります。
今後も、これらの技術の蓄積を生かして、高度な製造技術でソリューションを提供することで世界を前進させてまいります。
大型ガラス基板検査装置の詳細は以下の通りです。
記
１．商品名 ： 大型ガラス基板検査装置
２．製品特長 ： ・半導体先端パッケージ向け専用設計
・ガラス基板両面・内部の欠陥検査（業界初の機能）
・650mm×650mmサイズ（業界規格）のガラス基板に対応
・40sec/Panelの高速検査（高いスループット）
３．展開用途 ： 半導体先端パッケージ基板の検査
４．受注目標 ： 2025年度10億円
2030年度20億円
＊半導体検査装置業界において 2025年2月時点（自社調べ）
以上
